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QLC 以及 TLC

TLC全称是苹果Level Cell，进一步后退了存储密度，最先中运每一个存储单元可能存储3bit的于年用信息
。

TLC NAND 的闪存老本致使比 MLC NAND 更低 ，这使其成为破费电子产物以及主流 SSD 的存储暗区突围稳定科技事实抉择 。

QLC的下限暗区突围方框透视全称是Quad-level cells
，每一个cell可能存储4bit的将达数据，比照TLC，苹果QLC的最先中运存储密度提升了33%。

QLC NAND 个别用于入门级破费级 SSD 以及大容量存储运用 。于年用QLC NAND 的闪存持久性最低，个别 P/E 周期 (擦除了周期) 在 100 到 1000 之间。存储

制作商实施先进的下限暗区突围骨骼透视纠错机制 、OP（ Over）以及Wear来坚持坚贞性
。将达

尽管 QLC NAND 可能不适宜写入密集型使命负载
，苹果但它为同样艰深运用提供了短缺的存储容量，使更普遍的暗区突围追踪子弹用户可能运用 SSD 。

据报道，苹果正在推广 QLC NAND

最先激进的信息称 ，苹果妄想在14系列上接管QLC NAND，IT之家往年1月份就报道称，暗区突围子弹穿墙苹果可能会在16 Pro系列上接管QLC NAND 。

估量
，苹果正在减速向QLC NAND的过渡，从而将内置存储的暗区突围范围伤害下限后退到2TB。

不外需要留意的是，尽管QLC的密度比TLC高
，但速率却比后者慢；而且由于单个单元中单元数目更多 ，因此它们的暗区突围自动瞄准持久性较低，这象征着它们能处置的写入周期比TLC少。

意见狂语言模子

苹果还在探究若何运用 NAND 闪存而不是 RAM 来存储大型语言模子 (LLM)，从而可能在当地运行更多的 AI 使命 ，因此过渡到 QLC NAND 可能辅助后退苹果的暗区突围爆头锁挂功能。

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